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高频静电感应晶体管(SIT)比绝缘栅双机型晶体管(IG-BT)适用的频率更高。()

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第1题
“IGBT”这个英文简称指的是()。

A.双极型晶体管

B.绝缘栅双极型晶体管

C.可关断晶体管

D.以上说法均不准确

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第2题
绝缘栅双级晶体管具有速度快,输入阻抗高,___________低,耐压高,电容量大的特点。

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第3题
绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。A.低于B.等于C.稍高于D.明显高于

绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力晶体管。

A.低于

B.等于

C.稍高于

D.明显高于

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第4题
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗

说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗尽型;(3)P沟道绝缘栅增强型;(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线,并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里?

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第5题
()的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

()的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第6题
EV200驱动电机控制器由以IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块为核心的智能功率模块组成。()
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第7题
逆变器开关元件是六个绝缘栅双极型晶体管IGBT。这些IGBT和()的续流二极管集成在一起。

A.正向串联

B.反向并联

C.正向并联

D.反向串联

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第8题
开关电源中常用的功率开关器件主要有()。
开关电源中常用的功率开关器件主要有()。

A、双极型晶体管BJT

B、快速晶闸管SCR

C、场效应管MOSFET

D、绝缘栅双极性晶体管IGBT

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第9题
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了GTR和MOSFET的优点,因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。()
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第10题
高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用()。A.快速恢复二极管理体制B.绝缘栅双极晶体管C

高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用()。

A.快速恢复二极管理体制

B.绝缘栅双极晶体管

C.电力晶体管

D.功率场效应晶体管

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第11题
全控型器件有()等器件。
全控型器件有()等器件。

A . 可关断晶闸管

B . 电力晶闸管

C . 功率场效应管

D . 绝缘栅双极型晶体管

E . 大功率整流二极管

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