题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
在异质结的界面处引入界面态的原因包括：（)。
A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.材料表面的化学吸附
E.材料表面的原子重构
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A.在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
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(1) 气相传质总系数Ky？
(2) 此吸收过程是液膜控制还是气膜控制？为什么？
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证明若u=u(x，y，z)在有界闭域V上调和，S是V的边界面，
则
(x，y，z)∈V，(ξ，η，ζ)∈S，r={ξ-x，η-y，ζ-z)，r=[r，n]，是S上(ξ，η，ζ)点处的外法线单位向量．
A.又名消心痛，消异梨醇
B.为白色结晶性粉末
C.可发生重氮偶合反应
D.经硫酸破坏后生成硝酸，再与硫酸亚铁试液反应，接界面处呈现棕色
E.在强热或撞击下会发生爆炸
如图所示，一声波由介质1垂直通过两介质的界面进入介质2，介质密度和波速从ρ和u分别改变为ρ/2和2u，设界面处无吸收和反射，则此波穿过界面前后的振幅之比
=______；波强之比
=______。
