题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
A.0.1V/0.5V
B.0.2V/0.5V
C.0.5V/0.7V
D.0.5V/1.0V
查看答案
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
A.0.1V/0.5V
B.0.2V/0.5V
C.0.5V/0.7V
D.0.5V/1.0V
A.①、②
B.①、③
C.②、④
D.③、④
电工学第七版下册课后练习与思考题答案
14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成