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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。

A.0.1V/0.5V

B.0.2V/0.5V

C.0.5V/0.7V

D.0.5V/1.0V

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第1题
下列说法正确的是()①硅二极管的死区电压是0.5V左右②锗二极管的死区电压是0.1V左右③硅二极管的死区电压是0.1左右④锗二极管的死区电压是0.5V左右

A.①、②

B.①、③

C.②、④

D.③、④

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第2题
硅二极管的死区电压一般为2V。()
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第3题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

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第4题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

电工学第七版下册课后练习与思考题答案

14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?

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第5题
硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正

硅二极管和锗二极管的门槛电压(死区电压)分别约为__________V和__________V,通常情况下,它们的正向导通电压的工程取值分别为__________V和__________V。

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第6题
使二极管产生击穿的临界电质称为二极管的()。

A.额定电压

B.反向工作电压

C.最高反向工作电压

D.反向击穿电压

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第7题
硅稳压管和一般二极管的特性基本相似,所不同的是一般二极管在反向电压较大时被击穿而损坏。()
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第8题
关于P型半导体的下列说法,错误的是()。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

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第9题
锗二极管的死区电压是()。

A.0.1~0.2V

B.0.5V

C.0.7V

D.0.6V

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第10题
二极管两端电压大于()时,二极管才导通。

A.击穿电压

B.死区电压

C.饱和电压

D.放大电压

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第11题
二极管的死区电压随环境温度的升高而()。

A.增大

B.减小

C.基本不变

D.不确定

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