已知耗尽型NMOS管3D01E的夹断电压UCS(off)=-2.5V,饱和漏极电流IDSS=0.50mA,试求UCS=-1V时的漏极电流ID和跨导gm。
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗尽型;(3)P沟道绝缘栅增强型;(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线,并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里?
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗尽型;(3)P沟道绝缘栅增强型;(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线,并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里?
已知放大电路中,3个MOS管的3个电极的电位如下表所示,其开启电压(夹断电压)也在表中。分析这3个管子的类型及其工作状态。
MOS管 | UGS(th)或UGS(off) | UG/V | US/V | UD/V | 管 型 | 工作状态 |
V1 | -4 | 0 | 5 | -5 | ||
V2 | 4 | 3 | -2 | -1.5 | ||
V3 | -3 | 0 | 0 | 10 |
下图a、b所示为MOSFET的转移特性。请分别说明它们属于何种沟道。若是增强型,其开启电压UGS(th)为多少?若是耗尽型,其夹断电压UGS(off)为多少?(图中iD的正方向假定为流进漏极)。
采用分压偏置的增强型NMOS管共源放大电路,已知UDD=24V,RG1=200kΩ,RG2=56kΩ,RD=30kΩ, RS=10kΩ,静态栅源电压UGS=3.25V。求静态时的ID和UDS。
(1)若地址译码器的输入A2A1A0取值为000、001、010、…、111时,其相应的输出Y0、Y1、Y2、…、Y7为高电平。试问输入A2A1A为010、011、101时,ROM相应的输出状态是什么? (2)若已知ROM的输出为10110011,试问地址译码器的输入A2A1A0应该是什么状态?