题目内容
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[主观题]
在图3-9所示电路中,已知增强型MOSFETI的,VGS(th)=1.5V,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds
在图3-9所示电路中,已知增强型MOSFETI的,VGS(th)=1.5V,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
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在图3-9所示电路中,已知增强型MOSFETI的,VGS(th)=1.5V,沟道长度调制效应忽略不计,试求IDQ、IGSQ、VDSQ、gm、rds值。
在图4-61所示的电路中,已知,XC=500Ω,XL=1000Ω,R=2000Ω,求电流。
在图所示正弦稳态电路中,已知电源电压=800°V,R1=R2=XL=XC=20Ω,试求。
在图所示电路中,已知,非正弦电源电压u=(4+100sinωt+40sin3ωt)V。试求:
在图4-60所示的电路中,已知Uab=Ubc,R=10Ω,Zab=R+jXL。试求同相时Zab等于多少?