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[主观题]
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?
电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?
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电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半分体中少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小?
电工学第七版下册课后练习与思考题答案 14.1.1电子导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?
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14.3.1 二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
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14.1.3 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
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求旋转抛物面z = x^2+y^2与平面x+y-z=1之间的最短距离
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在直角坐标系下计算三重积分:
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试定出下列各题中直线与平面间的位置关系:
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根据二重积分性质,比较的大小,其中:
(1)D表示以(0,1),(1,0),(1,1)为顶点的三角形;
(2)D表示矩形区域 .