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第2题
关于“光注入”，以下说法错误的是：（)。
A.只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子
B.入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度
C.非平衡电子和空穴成对产生
D.受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
第3题
GaAlAs半导体激光器的体积可小到200μm3（=2×10-7mm3)，但仍能以5.0mw的功率连续发射波长为0.80μm的激光。这一
GaAlAs半导体激光器的体积可小到200μm3(=2×10-7mm3)，但仍能以5.0mw的功率连续发射波长为0.80μm的激光。这一小激光器每秒发射多少光子？
第4题
热载流子效应引起的影响不包括（)。
A.碰撞电离产生衬底电流而使衬底电势起伏
B.热电子跨越Si-SiO2势垒,被注入栅介质
C.漏极电流增大而形成雪崩击穿
D.发射出光子，形成光发射电流
第10题
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流（或发射极电流)对______的控制。根据半导体
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的材料的不同，晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同，晶体管又分为______和______。
