已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。
165千欧,Rg2=35千欧,VTS=0.8V,Kn=1mA/V2, 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF。
d
=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn:
电路如图题2.1.2所示(主教材图2.1.3) ,运放的开环电压增益Apo=106 ,输入电阻ri=109欧,输出电阻r0=75欧,电源电压V1=+10V,V2=-10V。(1)当运放输出电压的饱和值为电源电压时,求输入电压的最小幅值vP-vN。(2)求输入电流i1。
时,流过每一电阻的最大电流为100μA,求R1和R2的最小值;(2)设计一反相放大电路,如图题2.3.4b(主教材图2.3.6a)所示,使其电压增益Ae=vo/vi=-8,当输入电压vi=-1V时,流过R1和R2的最大电流为20μA,求R1和R2的最小值。
)设R1=R2从B、A两端看进去的输入电阻Rid=20千欧,Ae=10,求在vi2-vi1作用下电阻值R1、R2,R3和R4;(2)vi2=0时,求从vi1输入信号端看进去的输入电阻Ri1值;(3)vi1=0时,求从vi2输入端看进去的输入电阻Ri2值。
欧,Rm=1千欧,Rxi=10千欧。场效应管参数为VTS=1.5V,Kn=2mA/V2,λ=0。试求(1)静态工作点Q;(2)电压增益Ap和源电压增益Aex;(3)输入电阻Ri和输出电阻R0。
i
=12mV(有效值),信号源内阻Rei=1千欧,R1=R'1+Rei(R'1为电路外接电阻),要求输出电压Vn=1.2V(有效值),设计时该电路所有电阻小于500千欧。