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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

关于半导体二极管的伏安特性，下列说法错误的是()。

A.当二极管完全导通后，二极管正向导通压降基本维持不变

B.正向电流无限制地増大后会造成PN结严重发热而烧毁管子

C.外加反向电压在一定范围内时，反向电流基本上维持不变，与反向电压的数值没有关系

D.普通二极管发生反向击穿后，不会造成损坏，仍可继续使用

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更多“关于半导体二极管的伏安特性，下列说法错误的是()。”相关的问题

第1题

关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。

A.空穴是多数载流子

B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体

D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成

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第2题

二极管的伏安特性可以构造多种等效电路，对于不同的应用场合应选用不同的模型，下列适用于小信号分析的模型是（)

A.理想二极管模型

B.恒压降模型

C.折线模型

D.微变等效模型

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第3题

二极管的伏安特性是线性的。（)

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第4题

关于N型半导体的下列说法，正确的是（)。

A.只存在一种载流子：自由电子

B.在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极

C.在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体

D.在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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第5题

二极管的伏安特性表达式为（)。 A．ISeuD B． C． D．

二极管的伏安特性表达式为( )。

A．i_D=I_Se^uD B．i_D=I_Se^uD-1 C．D．i_D=I_Se^uT

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第6题

以下属于二极管伏安特性的是（)。

A.正向特性

B.反向特性

C.击穿特性

D.转移特性

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第7题

利用半导体器件的（)特性可实现整流。

A.伏安

B.稳压

C.单向导电

D.反向

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第8题

加到二极管两端的电压和通过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性。（）

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第9题

二极管的伏安特性分为3段：______、______和______。

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第10题

二极管具有（)。

A.正向特性

B.反向特性

C.反向击穿特性

D.线性伏安特性

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第11题

加到二极管两端的电压与通过二极管的电流之间的关系曲线，叫做二极管的_____曲线。

A.伏安特性

B.反向击穿

C.单向导通

D.外特性

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