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图LP2-14(a)所示放大电路中，硅NPN晶体三极管β=100，ICEO≈0，IC=2 mA，VBE(on)=0．7 V。(1)若要求集电极电压VO=(5～7)V，试计算电阻R1的数值范围及R2值。(2)若仅将器件改为硅PNP管，电源电压数值不变，试问晶体管与外电路应如何连接，为保持集电极电压|VO|、电流IC不变，试计算R1、R2值。
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在图9.17所示两级阻容耦合放大电路中，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=1.5kΩ，UCC=12V，硅晶体管的β=49，第一级放大电路的Au1=-100，求该放大电路的总电压放大倍数。
在图9.7所示的共射放大电路中，UCC=24V，RB1=33kQ，RB2=10kΩ，RC=3.3kΩ，RE=1.5kΩ，RL=5.1kΩ，硅晶体管的β=66，试做静态分析和动态分析。
如图4.43所示放大电路中，VCC=12V，RB=280Ω，RC=3kΩ，RE1=1.2kΩ，RL=3kΩ，硅晶体管的β=50。
求静态，IB、IC与UCE；
放大电路和硅三极管的输出特性如下图所示。
(1)试确定静态工作点Q在输出特性曲线中的位置；
(2)确定该电路不失真的最大输出电压的幅值。
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的
(1)计算
(2)画出交流等效电路.(3)求
对放大电路中的晶体管进行测量，测得各电极电位如下图所示。试分别判断晶体管的类型(是NPN管还是PNP管、是硅管还是锗管)，并区分电极E、B、C。
两级放大电路如下图所示，已知三极管均为硅管，|UBE(on)|=0.7V，β=100，rbb'=200Ω。
硅管放大电路如下图所示，三极管的β=100，试求：
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数
(3)放大电路的输入电阻Ri；
(4)输出电阻Ro1和Ro2。
度升高40℃时的ICQ与VCEQ值。
