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试定性画出P沟道增强型MOS场应管的转移特性和输出特性曲线。

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第1题
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗

说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅耗尽型;(3)P沟道绝缘栅增强型;(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线,并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里?

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第2题
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:(1)N沟道绝缘栅增强型;(2)N沟道绝缘栅

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第3题
某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第4题
某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。某场效应管的转移特性如图2-8所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第5题
由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推导电压

放大倍数Au=uo/ui、输入电阻Ri和输出电阻Ro的计算公式。

由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推

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第6题
结型与MOS管、P沟道与N沟道、耗尽型与增强型场效应管的小信号电路模型是否有区别?
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第7题
结型场效应管可分为()。

A.MOS管和MNS管

B.N沟道和P沟道

C.增强型和耗尽型

D.NPN型和PNP型

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第8题
p沟增强型MOS管的开启电压为___,沟道中导电载流子为___。

A.正值,电子

B.正值,空穴

C.负值,电子

D.负值,空穴

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第9题
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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第10题
试画出P沟道耗尽型MOS场效应管的结构示意图及电路符号。
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