有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位置l';如果在第二面上刻一十字
有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位置l';如果在第二面上刻一十字线,其共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?交在高斯像面上的高度是多少?该值说明什么问题?
有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位置l';如果在第二面上刻一十字线,其共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?交在高斯像面上的高度是多少?该值说明什么问题?
有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球面的共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?与高斯像面的距离为多少?
有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球面的共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?与高斯像面的距离为多少?
某S型曲线,平曲线1的圆曲线半径R1=625m,缓和曲线长度Ls1=100m;平曲线2的圆曲线半径R2=500m,缓和曲线长度Ls2=80m,则其回旋线参数A1/A2=1.5625。( )
一平行板电容器有两层电介质,εr1=4,εr2=2,厚度为d1=2.0mm,d2=3.0mm,极板面积为S=40cm2,两极板间电压为200V。计算:(1)每层电介质中的电场能量密度;(2)每层电介质中的总电能;(3)计算电容器的总电能。
今有3个事务的一个调度r3(B)r1(A)w3(B)r2(B)r2(A)w2(B)r12(B)w1(A),该调度是冲突可串行化调度吗,为什么?
设有一个运算器的数据通路如图6.21所示,假设操作数a和b(补码)已分别放在通用寄存器R1和R2中。ALU有+、-、M(传送)3种操作功能。
一平面薄圆环内外半径为R1、R2,在圆环平面上面电荷密度为(R1≤r≤R2),常量σ>0. 若以圆环中心为原点,试求其轴线上距原点x处的P点电场强度.