题目内容
（请给出正确答案）
[多选题]
造成芯片位置不良的因素有（)。
A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)
B.上芯设备调试不当
C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)
D.上芯后产品传递不规
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B.上芯设备调试不当
C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)
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A.背金属脱落不会造成产品电性能不良
B.单个芯片镀层脱落≥10%为不良
C.整个圆片镀层脱落≥10%为不良
D.整个圆片镀层脱落≥20%为不良
E.背银脱落不需反馈，可以正常流通
A.因机械部件安装、调试、操作使用不当等引起的机械传动故障
B.因导轨、主轴等运动部件的干涉、摩擦过大等引起的故障
C.因机械零部件的损坏、连接不良等引起的故障
D.因集成电路芯片、分立电子元件、插接件及外部连接组件等发生的故障
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批
B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
A.上芯顶针痕迹检查频次为1次
B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取
C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格
D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良
