以下关于广义平稳非相关散射(WSSUS)假设的说法不正确的是()。
A.信道统计特性随时间变化
B.不同多普勒频移的信号经历的衰落不相关
C.不同时延的信号经历的衰落不相关
D.传输函数频域平稳
A.信道统计特性随时间变化
B.不同多普勒频移的信号经历的衰落不相关
C.不同时延的信号经历的衰落不相关
D.传输函数频域平稳
已知随机过程z(t)=m(t)cos(ω0t+θ),其中m(t)是广义平稳随机过程。且其自相关函数为
随机变量0在(0,2π)上服从均匀分布,它与m(t)彼此统计独立。
已知s(t)=m(t)cos(ω0t+ω)是一幅度调制信号,其中ω0为常数,m(t)是零均值平稳基带信号,m(t)的自相关函数和功率谱密度分别为Rm(τ)和Pm(τ);相位θ为在[-π,+π]区间服从均匀分布的随机变量,m(t)与θ相互独立。 (1)证明s(t)是广义平稳过程; (2)求s(t)的功率谱密度PS。
已知sm(t)=m(t)cos(ωct+θ)是一个幅度调制信号,其中wc为常数;m(t)是零均值平稳随机基带信号,m(t)的自相关函数和功率谱密度分别为Rm(τ)和Pm(τ);相位θ为在[一π,π]区间服从均匀分布的随机变量,并且m(t)与θ相互独立。 (1)试证明sm(t)是广义平稳的随机过程; (2)试求sm(t)的功率谱密度Ps(f)。(其中m(t)均值为0)
下列属于非平稳时间序列特性的有()。 Ⅰ 不具有常定均值 Ⅱ 序列围绕在均值周围波动 Ⅲ 方差和自协方差不具有时间不变性 Ⅳ 序列自相关函数不随滞后阶数的增加而衰减
A.Ⅰ、Ⅱ
B.Ⅱ、Ⅲ
C.Ⅰ、Ⅳ
D.Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
设Z(t)=Xsint+Ycost,其中X,Y为相互独立同分布的随机变量,具有分布列
(1)求Z(t)的均值和自相关函数;(2)证明Z(t)是宽平稳过程,但非严平稳.
信用风险在整个金融市场中有着很多表现,广义的信用风险管理包括以下()内容。 (1)社会信用管理体系的架构; (2)对企业和消费者个人所作的信用风险管理; (3)信用风险管理相关的研究、教育及培训; (4)信用风险管理相关的一切法规措施; (5)政府相关部门、企业等经济主体的信用活动。
A.(1)(2)(4)(5)
B.(2)(4)(5)
C.(1)(2)(4)
D.(1)(2)(3)(4)(5)
B、电离的杂质会引起载流子的散射,从而影响载流子的迁移率
C、中性杂质不会对半导体产生影响
D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场,所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和
E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,由于杂质的补偿作用,对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差
F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度,由于杂质的补偿作用,该半导体材料属于本征半导体
G、杂质会在半导体的禁带中引入能级
H、如果杂质能级较浅,则杂质易于电离,可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型,如掺入硅中的磷
I、如果杂质能级较深,则杂质不易于电离,可能形成复合中心或陷阱中心
J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近,该杂质可有效促进载流子的复合,缩短非平衡载流子的寿命,起复合中心的作用,如掺入硅中的金
K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近,该杂质可暂时收容非平衡载流子,延长了非平衡载流子的寿命,起陷阱中心的作用