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[主观题]
已知一维晶体的电子能带可写成式中，α为晶格常数。试求： （1)能带的宽度； （2)电子的波矢k状态时
已知一维晶体的电子能带可写成式中，α为晶格常数。试求：
(1)能带的宽度； (2)电子的波矢k状态时的速度； (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
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已知一维晶体的电子能带可写成式中，α为晶格常数。试求：
(1)能带的宽度； (2)电子的波矢k状态时的速度； (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
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试证明，如只考虑最近邻的相互作用，用紧束缚方法导出简单的立方晶体中的s态电子的能带为 E(k)=E0-A-2J(cos2παkx+cos2παky+cos2παkz) 试求：(1)能带的宽度(△E=12J)； (2)能带底和能带顶附近电子有效质量。
已知[Co(NH 3 ) 6 ] 2+ 的磁矩为 4.26B.M.，则中心离子的 d 电子排布式和晶体场稳定化能分别为()。
![已知[Co（NH 3 ) 6 ] 2＋ 的磁矩为 4.26B.M.，则中心离子的 d 电子排布式和晶](https://img2.soutiyun.com/ask/2019-04-12/923932166050224.png)
A.可以分析过渡离子的部分电子态能级随晶场强度的改变
B.可以分析过渡离子的电子态能级在部分点群对称晶体场中的改变
C.可以分析所有过渡离子的电子态能级在Oh对称晶体场中随晶场强度的改变
D.可以分析部分过渡离子的电子态能级随晶场强度的改变
X、Y、Z、R为前四周期原子序数依次增大的元素。X原子有3个能级，且每个能级上的电子数相等；Z原子的不成对电子数在同周期中最多,且Z的气态氢化物在同主族元素的氢化物中沸点最低；X、Y、R三元素在周期表中同族。
（1）R元素基态原子的价层电子排布式为（）。
（2）下图表示X、Y、Z的四级电离能变化趋势，其中表示Y的曲线是（）（填标号）。
（3）化合物（XH2＝X＝O）分子中X原子杂化轨道类型分别是（），1mol(X2H5O)3Z＝O分子中含有的σ键与π键的数目比为（）。
（4）Z与氯气反应可生成一种各原子均满足8电子稳定结构的化合物，其分子的空间构型为（）。
（5）某R的氧化物立方晶胞结构如图所示，该物质的化学式为（）。(用元素符号表示)，已知该晶体密度为ρg/cm3，距离最近的原子间距离为dpm,则R的相对原子质量为（）。(阿伏加德罗常数为NA)
试证:平行板电容器的位移电流可写成
式中C为电容器的电容，U是电容器两极板的电势差。如果不是平板电容器，以上关系还适用吗？
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
利用玻尔-索末菲的量子化条件，求： (1)一维谐振子的能量； (2)在均匀磁场中做圆周运动的电子轨道的可能半径。 已知外磁场H=10T(特斯拉)，玻尔磁子MB=9×10-24J／T，试计算动能的量子化间隔△E，并与T=4 K及T=100 K的热运动能量相比较。
