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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

砷化镓（GaAs）单晶的布拉伐格子是（）

A.简单立方

B.体心立方

C.面心立方

答案

C、面心立方

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第1题

砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。

A.比较脆，易损坏

B.不利于在空间应用

C.耐辐射性能差

D.单晶晶片价格比较昂贵

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第2题

家用LED台灯常用到砷化镓（GaAs），已知砷化镓中Ga的化合价为+3价，则As的化合价为（）

A.﹣2

B.﹣3

C.﹣4

D.﹣5

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第3题

砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。

A.吸收系数小

B.禁带宽度大

C.耐辐射性能好

D.可以做得很薄

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第4题

家用LED台灯常用到砷化镓（GaAs），已知砷化镓中Ga的化合价为+3价，则As的化合价为（）来源：2016·桂林·中考难度：无

A.-2

B.-3

C.-4

D.-5

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第5题

砷化镓的湿法刻蚀液是磷酸。()

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第6题

汉瓦的材质是（）半导体化合物

A.铜铟镓硒

B.砷化镓

C.非晶薄膜

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第7题

第一个晶体管采用的半导体材料是（)。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第8题

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（)。

A.锡

B.硼

C.磷

D.锰

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第9题

世界上第一块集成电路是在半导体材料（)上制作的。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.氮化硅

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第10题

太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是（)。

A.锗

B.玻璃

C.砷化镓

D.硅

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第11题

砷化锌，砷化镓

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