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[主观题]

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。1).禁带宽度A、反映材料的导电能力B、反映半导体材

将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。

1).禁带宽度

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

2).电阻率、载流子迁移率

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

3).非平衡载流子寿命

A、反映材料的导电能力

B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性

C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量

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第1题
常用的半导体材料的特性参数有()。

A.位错密度

B.电阻率

C.非平衡载流子寿命

D.禁带宽度

E.载流子迁移率

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第2题
下列说法错误的是()。

A.压电材料的绝缘电阻能改善压电传感器的低频特性

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C.因受力而产生的机械效应转变为电效应,将机械能转变为电脑,就是压电陶瓷的逆压电效应

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第3题
下列关于半导体应变片的说法错误的是()。

A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率P发生变化的现象

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第4题
能源、信息和材料是现代社会发展的三大支柱,关于能源、信息和材料,下列说法错误的是()

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第5题
179晶体管特性图示仪可以从示波管的荧光屏上自动显示同一半导体管子的四种h参数()
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第6题
下列物质性质与应用的对应关系,正确的是()。A.晶体硅熔点高、硬度大,可用于制作半导体材料B.氢氧

下列物质性质与应用的对应关系,正确的是()。

A.晶体硅熔点高、硬度大,可用于制作半导体材料

B.氢氧化铝具有弱碱性,可用于制胃酸中和剂

C.漂白粉在空气中不稳定,可用于漂白纸张

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第7题
下列哪些属于DFM的基本要素()。

A.标准

B.材料特性

C.设备能力

D.工艺参数

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第8题
下列不属于压电材料的主要特性参数的是()。

A.居里点

B.弹性常数

C.介电常数

D.模量常数

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第9题
重掺半导体材料的性质接近绝缘体,而高阻半导体材料性质则接近导体。()

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第10题
将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。1).元素半导体A、砷化镓B、氧化物玻璃C、硅2).化合物半

将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。

1).元素半导体

A、砷化镓

B、氧化物玻璃

C、硅

2).化合物半导体

A、砷化镓

B、氧化物玻璃

C、硅

3).无定形半导体材料

A、砷化镓

B、氧化物玻璃

C、硅

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