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[单选题]
增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（)。
A.不能形成导电沟道
B.漏极电压为零
C.能够形成导电沟道
D.漏极电流不为零
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图4．5．17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中，ID为漏极电流；IDSS是栅压为零时的漏极电流；VP为夹断电压；VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0；信号电压为vs=Vssinωst；本振电压v0=V0sinω0t。 试证明： 1)此混频器能完成混频作用；
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制。
A.栅极电流
B.发射极电流
C.栅极电压
D.发射极电压
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( )
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( )
采用分压偏置的增强型NMOS管共源放大电路，已知UDD=24V，RG1=200kΩ，RG2=56kΩ，RD=30kΩ， RS=10kΩ，静态栅源电压UGS=3.25V。求静态时的ID和UDS。
（）的本质是一个场效应管。
A.肖特基二极管
B.电力晶体管
C.可关断晶闸
D.绝缘栅双极晶体管
