题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?()
A.少子反型
B.多子积累
C.多子耗尽
D.本征状态
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A.少子反型
B.多子积累
C.多子耗尽
D.本征状态
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
A.只有①③
B.只有②③
C.只有①②③
D.只有③
在等直径管中充满不可压缩的理想液体,此液体在按单摆变化规律的压力梯度作用下沿管轴方向运动,ω、A为常数,试求在不计外力作用时液体的运动速度ux(t)。
A.结构在受压区的徐变和收缩会增大挠度(如梁、板)
B.徐变会增大偏压柱的弯曲,由此增大初始偏心,降低其承载能力
C.预应力混凝土构件中,徐变和收缩会导致预应力的损失
D.混凝土收缩会使较厚构件(或在结构的截面形状突变处)的表面开裂
16 矩阵位移法中,结构在等效结点荷载作用下的内力与结构在原有荷载作用下的内力相同。( )