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[单选题]

一个电阻为R的负载中流过的电流为I。其两端的电压U所消耗的功率P分别为:(U、I、R、P的单位分别为伏特、安培、欧姆、瓦特,”x^m”表示“x的m次方”)()

A.U = I×R,P = I^2×R

B. U = I / R,P = I^2/R

C. U = R / I,P = R / I^2

D. U = I + R,P =I ×R

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第1题
将一个电阻为R的负载接到电压为U的电源上。负载中的电流I和负载消耗的功率P分别为:(U、I、R、P的单位分别为伏特、安培、欧姆、瓦特,”x^m”表示“x的m次方”)()

A.I = U/R,P = U^2/R

B. I = U×R,P =U/R

C. I = R/U,P =U×R

D. I = U×R,P =U^2×R

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第2题
若流过R=10Ω电阻的电流i=(2+sinωt)A,则电阻R两端电压的有效值为______。

若流过R=10Ω电阻的电流i=(2+sinωt)A,则电阻R两端电压的有效值为______。

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第3题
流过R=10Ω电阻元件的电流为i=[5+14.14cosωt+7.07cos2ωt]A,求:(1)电阻两端的电压u及U;(2)电阻上的功率。

流过R=10Ω电阻元件的电流为i=[5+14.14cosωt+7.07cos2ωt]A,求:(1)电阻两端的电压u及U;(2)电阻上的功率。

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第4题
如图5.14(a)所示,一根半径为R的无限长载流直导体,在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔,其轴
如图5.14(a)所示,一根半径为R的无限长载流直导体,在导体上有一半径为R'的圆柱形空腔,其轴

与直导体的轴平行,两轴相距为d。导体中有电流I沿轴向流过,并均匀分布在横截面上。试用安培环路定理求空腔中心的磁感应强度,你能证明空腔中的磁场是匀强磁场吗?

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第5题
某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.02(s
某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.02(s

某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即

其中l0称为触发时间,如果T=0.02(s)(即ω==100π)

(1)当触发时间t0=0.0025(s)时,求0≤t≤内电流的平均值;

(2)当触发时间为t0时,求[0,]内电流的平均值;

(3)要使i平均=(A)和(A),问相应的触发时间应为多少?

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第6题
(华北电力大学<保定>2008年考研试题)如图4一121所示电路,Ns为线性含源电阻性网络。当端口ab

(华北电力大学<保定>2008年考研试题)如图4一121所示电路,Ns为线性含源电阻性网络。当端口ab短接时,电阻R支路中电流I=IS1:当端口ab开路时,电阻R支路中电流I=IS2;当端口ab间接电阻Rf时,Rf获得最大功率。求端口ab间接电阻Rf时流过R支路的电流I。

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第7题
流过R=100Ω电阻元件的电流为i=[5+20cosωt+10cos2ωt]mA,求:(1)电阻两端的电压u及U;(2)电阻上的功率。(要求画

流过R=100Ω电阻元件的电流为i=[5+20cosωt+10cos2ωt]mA,求:(1)电阻两端的电压u及U;(2)电阻上的功率。(要求画出电路图)

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第8题
如图12.5.1所示电路中,已知U1=2V,a、b两点等电位,求电阻R的值和流过受控源的电流I。

如图12.5.1所示电路中,已知U1=2V,a、b两点等电位,求电阻R的值和流过受控源的电流I。

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第9题
电路如题图E1—1所示,已知R=3Q。在下列两种情况下,求流过电阻R的电流I和尺两端的电压UAB,并说明其
实际方向: (1)E1=6 V,E2=9 V; (2)E2=6 V,E1=9 V。

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第10题
如图所示对称三相电路中,已知负载线电流为10A,电阻R=2Ω,则三相负载所接受的有功功率为()。 A.600W B.2

如图所示对称三相电路中,已知负载线电流为10A,电阻R=2Ω,则三相负载所接受的有功功率为( )。

A.600W B.200W

C.100W D.100W

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第11题
流过电阻5Ω的电流为i=(5+14.14cost+7.07cos2t)A,试计算电阻吸收的功率。

流过电阻5Ω的电流为i=(5+14.14cost+7.07cos2t)A,试计算电阻吸收的功率。

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