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[多选题]

IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使突触后膜的

A.K+通道开放

B.Na+通道开放

C.Ca2+通道开放

D.Cl-通道开放

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第1题
下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的()。

A.突触前膜超极化

B.Ca2经突触前膜进入突触小体

C.突触前膜释放抑制性递质

D.突触后膜对Cl-通透性增强

E.Cl-内流产生IPSP

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第2题
IPSP产生是由于()

A.冲动传到突触前轴突末梢 Ca2+通道开放Ca2+内流

B.突触前膜释放抑制性递质后用于突触后膜

C.突出后膜对K+.Cl-尤其是Cl-的通透性增加

D.突出后膜发生超极化

E.+B+C+D出现IPSP

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第3题
关于突触前抑制的特点是()。

A.具有轴突一轴突型突触

B.具有轴突一胞体型突触

C.有IPSP发生

D.与兴奋性递质释放量减少有关

E.主要与抑制性递质释放量增多有关

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第4题
突触后膜的膜电位在递质作用下产生去极化改变,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性下降,这种电位变化称为IPSP。()
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第5题
抑制性突触电位产生的机制是

A.突触前膜释放抑制性递质

B.递质与突触后膜受体结合

C.突触后膜对Cl-通透性增加

D.Cl-外流

E.膜去极化

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第6题
突触前抑制产生的原因是

A.突触前轴轴突触活动

B.突触前膜兴奋性递质释放减小

C.突触前膜释放抑制性递质

D.突触后膜兴奋性突触后电位减小

E.突触后膜出现抑制性突触后电位

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第7题
传入侧支性抑制产生的原因是()。A.释放的兴奋性递质少B.抑制兴奋性中间神经元C.突触后膜发生

传入侧支性抑制产生的原因是()。

A.释放的兴奋性递质少

B.抑制兴奋性中间神经元

C.突触后膜发生超极化

D.抑制性中间神经元释放抑制性递质

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第8题
突触后抑制产生的原因是

A.突触前膜释放抑制性递质

B.突触后膜Cl-通道开放,Cl-内流

C.突触后膜超极化

D.由抑制性中间神经元引起

E.轴突始段出现外向电流

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第9题
突触前抑制的产生是由于:()。

A.前膜超极化

B.前膜释放抑制性递质

C.引起抑制性突触后电位

D.前膜兴奋性递质释放减少

E.前膜不能去极化

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第10题
关于突触后抑制,正确的叙述有 ()

A.一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

B.突触后膜产生超极化变化

C.突触后膜产生部分去极化改变

D.是由突触前末梢释放抑制性递质引起的

E.可分为回返性抑制和传入侧支性抑制两种

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