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[主观题]
共发射极放大电路如下图所示，已知晶体管的β=100，rbe=1.5kΩ，试分别求出它们的下限频率fL，并作出幅频特性波特
共发射极放大电路如下图所示，已知晶体管的β=100，rbe=1.5kΩ，试分别求出它们的下限频率fL，并作出幅频特性波特图。
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共发射极放大电路如下图所示，已知晶体管的β=100，rbe=1.5kΩ，试分别求出它们的下限频率fL，并作出幅频特性波特图。
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差分放大电路如下图所示，已知晶体管的β=80，rbb'=200Ω，UBEQ=0.6V，试求：
差分电路如下图所示，已知晶体管的β=60，rbb'=200Ω，UBEQ=0.7V，试求：
（1）静态工作点ICQ、UCEQ；
（2）rbe
（3）电压放大倍数Au
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
放大电路如下图所示，已知晶体管为硅管、β=60，所有电容对交流短路。试计算静态工作点电流ICQ、电压增益Av、源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。
两级放大电路如下图所示，已知场效应管V的gm=1ms，晶体管VT的β=99，rbe=2kΩ，电容足够大。(1)试画出该电路的小信号等效电路;(2)说明 RG3的作用,并求输入电阻Ri; (3)求电压放大倍数 Au及输出电阻 Ro。
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两级放大电路如下图所示，设晶体管参数相同，β=50，rbb'=200Ω，UBEQ=0.6V。
如下图所示的差动放大电路，场效应管V1、V2特性相同，IDSS=1mA，UGS(off)=-2V，晶体管的UBE=0.7V，求：
