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[多选题]
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。
A.结构复杂
B.复合
C.全控型
D.电压驱动式
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电路如下图所示，场效应管的互导为gm，而rd很大；双极型三极管的电流放大系数为β和输入电阻为rbe。试解答：
(1)T1和T2各自组成的电路属于什么组态？
(2)写出总的电压放大倍数
的表达式。
对于单向P控制型可控硅而言，从结构原理上可将其分成是（）三极管互联。
A.二个NPN
B.二个PNP
C.一个NPN,一个PNP,阳极接PNP的C极
D.一个NPN,一个PNP,阳极接NPN的C极
