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第3题
下列关于半导体应变片的说法错误的是（)。
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大，因而输出也大，可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类，可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
第8题
以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是()。
A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体
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B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
第9题
如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以的光（光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴
如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以
的光(光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴对，当电子和空穴向半导体体内扩散时，受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离，于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。
第10题
以下情况不是食品中致癌物的主要来源的是（)。A、食物受污染产生或含有致癌物B、食品在一定储存
以下情况不是食品中致癌物的主要来源的是()。
A、食物受污染产生或含有致癌物
B、食品在一定储存条件下自身发生变化而合成
C、食品本身含有的天然成分
D、食品在进入人体后通过代谢产生
E、食品在加工烹调过程中产生
第11题
霍尔电势不等位电势产生的主要原因不包括（)。
A.激励电极与霍尔电极接触不良，形成非欧姆接触
B.半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等
