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第1题
关于本征跃迁，以下说法正确的是？（)
A.本征跃迁是本征吸收的逆过程
B.对于直接禁带半导体，其本征跃迁为直接跃迁
C.直接跃迁过程中只有光子和电子参与
D.对于间接禁带半导体，其本征跃迁是间接跃迁
E.间接跃迁过程中除了有光子和电子参与外，还有声子参与
F.间接跃迁的几率比直接跃迁的几率小得多
第2题
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。1).禁带宽度A、反映材料的导电能力B、反映半导体材
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1).禁带宽度
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2).电阻率、载流子迁移率
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3).非平衡载流子寿命
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
第11题
硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷（△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并
硅的禁带宽度Eg=1.1eV，当掺入少量杂质磷(△ED=0.045eV)后，产生一杂质能级，试画出这一杂质半导体的能带图？并分别求出该杂质半导体的本征吸收与杂质吸收的长波限？
