已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,分别画出uDS=3V、6V、9V时的转移特性曲线。
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
一个场效应管的转移特性曲线如图所示,试问:
(1)它是N沟道还是P沟道的FET?
(2)它的夹断电压uP和饱和漏极电流IDSS各是多少?
图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中,ID为漏极电流;IDSS是栅压为零时的漏极电流;VP为夹断电压;VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0;信号电压为vs=Vssinωst;本振电压v0=V0sinω0t。 试证明: 1)此混频器能完成混频作用;
下图为一带自举电路的高输入阻抗射极跟随器。试定性说明:(1)电压增益接近1;(2)通过C3引入自举可减少漏栅电容对输入阻抗的影响。(3)通过C2引入自举大大提高了放大器的输入电阻。
已知FET的特性曲线如下图所示,试判断它是哪一类场效应管?开启电压VTH或夹断电压VP约为多少?饱和电流IDSS约为多少?
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示,试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off),并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
下图为某一煤层底版等高线圈,准备在-210m水平开掘AB方向的岩石平巷,试判断该巷道与断层和煤层的相遇点。