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[主观题]

有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位置l';如果在第二面上刻一十字

有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位置l';如果在第二面上刻一十字线,其共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?交在高斯像面上的高度是多少?该值说明什么问题?有一个平凸透镜,r1=100m,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体位于-∞时,求高斯像的位

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第1题
有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球

有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球面的共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?与高斯像面的距离为多少?有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在

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第2题
有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球

有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在第二面上刻一个十字丝,问其通过球面的共轭像在何处?当入射高度h=10mm时,实际光线的像方截距为多少?与高斯像面的距离为多少?有平凸透镜r1=100mm,r2=∞,d=300mm,n=1.5,当物体在-∞时,求高斯像的位置。在

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第3题
已知一个高精度凸透镜其r1=-r2=100mm,直径10mm,试求其必要厚度d。

已知一个高精度凸透镜其r1=-r2=100mm,直径10mm,试求其必要厚度d。

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第4题
某S型曲线,平曲线1的圆曲线半径R1=625m,缓和曲线长度Ls1=100m;平曲线2的圆曲线半径R2=500m,缓和曲线长度Ls2

某S型曲线,平曲线1的圆曲线半径R1=625m,缓和曲线长度Ls1=100m;平曲线2的圆曲线半径R2=500m,缓和曲线长度Ls2=80m,则其回旋线参数A1/A2=1.5625。( )

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第5题
一平行板电容器有两层电介质,εr1=4,εr2=2,厚度为d1=2.0mm,d2=3.0mm,极板面积为S=40cm2,两极板间电压为200V。

一平行板电容器有两层电介质,εr1=4,εr2=2,厚度为d1=2.0mm,d2=3.0mm,极板面积为S=40cm2,两极板间电压为200V。计算:(1)每层电介质中的电场能量密度;(2)每层电介质中的总电能;(3)计算电容器的总电能。

一平行板电容器有两层电介质,εr1=4,εr2=2,厚度为d1=2.0mm,d2=3.0mm,极板面

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第6题
一平行板电容器有两层介质,εr1=4,εr2=2,厚度d1=2.0mm,d2=3.0mm,极板面积为S=40cm2,极板电压为200
V,计算: (1)每层介质中电场能量密度; (2)每层电介质中的总电能.

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第7题
由厚度相同的平壁组成的三层平壁,若λ1>λ2>λ3,则热阻R1、R2、R3之间的关系为()。

A.R1>R2>R3

B.R1

C.R1>R3>R2

D.R3>R1>R2

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第8题
今有3个事务的一个调度r3(B)r1(A)w3(B)r2(B)r2(A)w2(B)r12(B)w1(A),该调度是冲突可串行化调度吗,

今有3个事务的一个调度r3(B)r1(A)w3(B)r2(B)r2(A)w2(B)r12(B)w1(A),该调度是冲突可串行化调度吗,为什么?

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第9题
设有一个运算器的数据通路如图6.21所示,假设操作数a和b(补码)已分别放在通用寄存器R1和R2中。ALU有+、-、M(传

设有一个运算器的数据通路如图6.21所示,假设操作数a和b(补码)已分别放在通用寄存器R1和R2中。ALU有+、-、M(传送)3种操作功能。

设有一个运算器的数据通路如图6.21所示,假设操作数a和b(补码)已分别放在通用寄存器R1和R2中。

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第10题
一平面薄圆环内外半径为R1、R2,在圆环平面上面电荷密度为(R1≤r≤R2),常量σ>0. 若以圆环中心为原点,试求其轴线

一平面薄圆环内外半径为R1、R2,在圆环平面上面电荷密度为一平面薄圆环内外半径为R1、R2,在圆环平面上面电荷密度为(R1≤r≤R2),常量σ>0. 若以圆环(R1≤r≤R2),常量σ>0. 若以圆环中心为原点,试求其轴线上距原点x处的P点电场强度.

一平面薄圆环内外半径为R1、R2,在圆环平面上面电荷密度为(R1≤r≤R2),常量σ>0. 若以圆环

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