首页 > 行业知识
题目内容 (请给出正确答案)
[多选题]

以下()会造成上芯过程中混批。

A.产品收尾时未将产品清理干净

B.抽检后产品归位放错或是卡物分离造成混批

C.晶圆上机前未核对批号,造成晶圆混料

D.产品在传递,烘烤过程前后将流程卡放错造成混批

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“以下()会造成上芯过程中混批。”相关的问题
第1题
关于上芯防混批作业的相关控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.在产品固化时,产品在进出烘箱前后,对流程卡上框号及实际产品框号要核对一致

B.作业员在加工完一批产品后,检查设备轨道内

C.设备小货架上该批产品全部留走后方可加工下批产品

D.设备加工完的产品已经移动必须在流程卡上填写盒号,每台设备不允许超过二盒产品未填写盒号

点击查看答案
第2题
以下不属于上芯低级错误的是()。

A.未按压焊图粘片

B.原材料选用错误

C.首检不到位

D.混批

点击查看答案
第3题
以下属于上芯低级错误的是()

A.未按压焊图粘片

B.原材料选用错误

C.首检不到位

D.混批

点击查看答案
第4题
以下属于生产过程异常反馈程序的有()。

A.加工记录填写错误

B.原材料不良率大于工单批 0.1%(以工单批为分母)

C.检测、试验、测量及加工设备在维护保养

D.点检、计量过程中发现不合格时

E.产品存在混批或加工过程有混批隐患

点击查看答案
第5题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

点击查看答案
第6题
造成崩单晶的潜在原因有()。

A.客户来料或上工序来料异常

B.上芯设备三点一线偏移

C.产品烘烤后周转过程中未按照规范进行传递

D.设备粘接头故障

点击查看答案
第7题
对抽样检验的适用范围,下列说法正确的是()。

A.某些可能实现全数检验的检测项目

B.生产批量大、自动化程度高、产品质量不稳定的作业过程

C.检验费用昂贵的产品

D.少量不合格会造成重大经济损失的产品

点击查看答案
第8题
下列属于上芯造成的产品异常的是()。

A.粘墨点

B.划偏

C.晶圆碎裂

D.墨点脱落

点击查看答案
第9题
WAFERMAPPING产品在上芯过程中若出现跳行。跳列有芯片遗漏在蓝膜上时应该:()。

A.从圆片起始位置重新跳步做起

B.手工补片或移行后重做

C.关掉MAP捡拾遗漏芯片

点击查看答案
第10题
烘烤作业应不注意()措施,不会造成烫伤事故。

A.防划

B.伤防

C.蹭伤

D.防高温

E.防混批

点击查看答案
第11题
以下属于上芯零容忍项目的是()

A.首检不到位

B.未使用托板

C.80度以上取产品

D.私自倒料盒

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改