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[单选题]

在图所示电路中,已知Us=2V,Is=2A,则输出电功率的是()。在图所示电路中,已知Us=2V,Is=2A,则输出电功率的是()。

A.电压源

B.电流源

C.电压源和电流源

D.电阻

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第1题
电路如习题12-23图所示,开关S原是闭合的,电路处于稳态。若S在t=0时打开,已知us=2V,L1=L2=1H,R1=R2=1Ω,试求t≥

电路如习题12-23图所示,开关S原是闭合的,电路处于稳态。若S在t=0时打开,已知us=2V,L1=L2=1H,R1=R2=1Ω,试求t≥0时的i1(t)和uL1(t)。

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第2题
在图 LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的VZ=6.3V,VD(on)=0.7 V,VREF=2V
在图 LT6-20(a)所示单限比较器电路中,已知稳压管的VZ=6.3V,VD(on)=0.7 V,VREF=2V

(1)试分析比较特性vO-v1;(2)当v(t)=5sinωt(V)时,画出vΩ(t)的波形。

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第3题
图(a)所示电路中,已知:US=10V,R1=R2=2Ω,L=2H,C=2F,r=5Ω。在电路达到稳态时开关S合上,求流经开关S的电流。

图所示电路中,已知:US=10V,R1=R2=2Ω,L=2H,C=2F,r=5Ω。在电路达到稳态时开关S合上,求流经开关S的电流。

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第4题
在图1.13(a)所示电路中,已知:IS1=1 A,IS2=5 A,US=24 V,R1=R3=R4=2 Ω,R2=5 Ω。用戴维宁定理求电流I

在图1.13(a)所示电路中,已知:IS1=1 A,IS2=5 A,US=24 V,R1=R3=R4=2 Ω,R2=5 Ω。用戴维宁定理求电流I和电位VA。

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第5题
在图1.17所示电路中,已知US=6V,IS=2A,R1=2Ω,R2=1Ω。求开关S断开时开关两端的电压U和开关S闭合时通过开关的电

在图1.17所示电路中,已知US=6V,IS=2A,R1=2Ω,R2=1Ω。求开关S断开时开关两端的电压U和开关S闭合时通过开关的电流,(不必用支路电流法)。

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第6题
已知电路如图a所示,US=2V,R=4kΩ,C=50μF。S开关原在位置2,并已处于稳态。t=0时,S合向1;t=1s时,S合向2。试求uC、i

已知电路如图a所示,US=2V,R=4kΩ,C=50μF。S开关原在位置2,并已处于稳态。t=0时,S合向1;t=1s时,S合向2。试求uC、iC、uR,并画出uC和iC、uR波形。

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第7题
在图题4.8.7所示FET放大电路中,已知VDD=20V,VGS=-2V,管子参数IDSS=4mA,VPN=-4
V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。(1)求电阻R1和静态电流IDQ;(2)求正常放大条件下R2可能的最大值。

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第8题
在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的V

在图4-11所示电路中,已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V,IDSS=5mA,图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V,μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2,试计算VGSQ、IDQ、VDSQ

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第9题
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第10题
用戴维南定理求图(a)所示电路中通过R5的电流I。已知R1=R4=3Ω,R2=R3=6Ω,R5=2Ω,Us=9V

用戴维南定理求图所示电路中通过R5的电流I。R3=10Ω,U=6.5V。

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第11题
在图所示的理想运算放大器组成的电路中,已知电路最大的输出电压为±15V,R2=200kΩ,Rw=5kΩ,R1=100kΩ,U1=2V。求

在图所示的理想运算放大器组成的电路中,已知电路最大的输出电压为±15V,R2=200kΩ,Rw=5kΩ,R1=100kΩ,U1=2V。求在下述三种情况下,UO各为多少伏?

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