题目内容
（请给出正确答案）
[单选题]
关于P型半导体的下列说法，错误的是（)。
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
查看答案
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
题目内容
（请给出正确答案）
A.空穴是多数载流子
B.在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极
C.在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体
D.在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
如果结果不匹配，请 联系老师 获取答案
更多“关于P型半导体的下列说法，错误的是()。”相关的问题
A.半导体材料的压阻效应是指当半导体材料某一轴向受外力作用时，其电阻率P发生变化的现象
B.半导体应变片的灵敏系数极大，因而输出也大，可以不需要放大器直接与记录仪器连接
C.半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好
D.半导体应变片按照特性分类，可分为灵敏系数补偿型应变片和非线性补偿应变片
A.室温时，n型半导体的霍耳系数为负
B.室温时，p型半导体的霍耳系数为正
C.n型半导体的霍耳角为负
D.p型半导体的霍耳角为正
E.室温时，n型半导体的霍耳系数为正
F.室温时，p型半导体的霍耳系数为负
A.费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大
B.本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近
C.N型半导体的费米能级比较靠近价带顶
D.N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
A.n型简并半导体，导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体，价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近，甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体，导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体，价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.超导技术的关键是在某一温度下，将电阻降为零
B.电阻为零的情况下，将没有热能的损耗
C.半导体的电阻会随着温度及光强的变化而变化，为此可以制成热敏电阻和光敏电阻等
D.铜是一种超导材料
