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[主观题]

图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作

图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和输入信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表达式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=UL

图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=UL

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第1题
图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0

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第2题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0

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第3题
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R
电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=100千欧,R

d=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is

电路如图题4.5.5(主教材图4.5.4)所示。电路参数为I=1mA,VDD=VSS=5V,Rg=1

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第4题
电路如图题4.5.4(主教材图4.5.1)所示。设Rg=0.75千欧,Rg1=Rg2=240千欧,Rs1=4千
电路如图题4.5.4(主教材图4.5.1)所示。设Rg=0.75千欧,Rg1=Rg2=240千欧,Rs1=4千

欧。场效应管的gm=11.3mS,rds=50千欧。试求源极跟随器的源电压增益Ars=v0/vs、输入电阻R1和输出电阻R0

电路如图题4.5.4(主教材图4.5.1)所示。设Rg=0.75千欧,Rg1=Rg2=240千欧,R

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第5题
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=
电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,Rg1=

165千欧,Rg2=35千欧,VTS=0.8V,Kn=1mA/V2, 场效应管的输出电阻rds=∞(λ=0),电路静态工作点处VGS=1.5V。试求图题4.4.1a所示共源极电路的小信号电压增益Ar=v0/vi、源电压增益Ads=v0/ve、输入电阻Ri和输出电阻R0

电路如图题4.4.1a(主教材图4.4.6a)所示。已知Re1=10千欧,Rs1=Rm=0.5千欧,

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第6题
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,
电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rd=9千欧,

Cs很大,对信号可视为短路。场效应管的VTS=0.8V,KN=1mA/V,输出电阻rds=∞。试求电路的小信号电压增益AF

电路如图题4.4.2(主教材图4.4.8)所示。 设电流源电流I=0.5mA,VDD=VSS=5V,

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第7题
在图9.19所示放大电路中,已知RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC1=3kΩ,RE1=1.5kΩ,RB3=20kΩ,RB4=10kΩ,RC2=6.8kΩ,RE2=4.7kΩ

在图9.19所示放大电路中,已知RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC1=3kΩ,RE1=1.5kΩ,RB3=20kΩ,RB4=10kΩ,RC2=6.8kΩ,RE2=4.7kΩ,β1=60,β2=50,rbe1=1kΩ,rbe2=1kΩ,求该放大电路的总电压放大倍数,输入电阻和输出电阻。

在图9.19所示放大电路中,已知RB1=20kΩ,RB2=10kΩ,RC1=3kΩ,RE1=1.5k

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第8题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ12=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管

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第9题
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

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第10题
电路如图题5.2.8所示,设场效应管的参数为gm1=1mS,gm2=0.2mS,且满足1/gm1 < < r
电路如图题5.2.8所示,设场效应管的参数为gm1=1mS,gm2=0.2mS,且满足1/gm1< < rds1和1/gm2< < rds2,试求Av=v0/vi

电路如图题5.2.8所示,设场效应管的参数为gm1=1mS,gm2=0.2mS,且满足1/gm1 <

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