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[主观题]

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工作点,电压

增益和输入电阻。

放大电路如图题5.9.1所示。设BJT的型号为2N2222,β=60。Ra=0。试求放大电路的静态工

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第1题
放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设R

放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设RL=∞。

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第2题
设输出特性如图题5.3.1所示的BJT接入图题5.3.2所示的电路,图中VCC=15V,Re=1.5千欧,i
n=20μA,求该器件的Q点。

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第3题
设用输出特性如图题5.3.1所示的BJT 连接成图题5.3.2所示的电路,在基极用VBB=3.2V和电阻R
b=20千欧,串联以代替电流源in,并设VCC=6V,Re=200千欧,试求该电路中IBQ,lCQ和VCEQ的值,设VBEQ=0.7V。

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第4题
设PNP型硅BJT的电路如图题5.3.6所示。问vB在什么变化范围内,使T工作在放大区?令β=100。

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第5题
电路如图题4.4.1所示,Rb=750kΩ,Rc=6.8kΩ,采用3DG6型BJT。(1)当T=25℃时,β=60,VBE=0.7V,求Q点;(2)如β随温度的

电路如图题4.4.1所示,Rb=750kΩ,Rc=6.8kΩ,采用3DG6型BJT。(1)当T=25℃时,β=60,VBE=0.7V,求Q点;(2)如β随温度的变化为0.5%/℃,而VBE随温度的变化为-2mV/℃,当温度升高至75℃时,估算Q点的变化情况;(3)如温度维持在25℃不变,只是换用β=115的管子,Q点如何变化,此时放大电路的工作状态是否正常?

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第6题
电路如图题5.7.5所示,设FET的互导为gm,rdn很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为r
br。(1)画出该电路的小信号等效电路;(2)说明T1,T2各组成什么组态;(3)求该电路的电压增益AP,输入电阻Ri及输出电阻R0的表达式。

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第7题
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该

电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ12=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。

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第8题
电路如图题4.7.5所示,已知BJT的β=50,rbe=0.72kΩ。(1)估算电路的下限频率;(2)若,且f=fL,则=?与的相位差是多少

电路如图题4.7.5所示,已知BJT的β=50,rbe=0.72kΩ。(1)估算电路的下限频率;(2)f=fL,则=?

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第9题
电路参数如图题5.7.9所示。设FET的参数为gm=0.8mS,rds=200千欧;T2的β=40,rbe=1
千欧。试求该放大电路的电压增益Ae和输入电阻Ri。

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第10题
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

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第11题
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计
电压放大电路 模型如图题1.4.1(主教材图1.4.2a)所示,设输出开路电压增益Aro=10。试分别计

算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn

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