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[主观题]

一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.10cm

,b=0.35cm,c=1.0cm,I=1.0mA,B=0.3T,样品两侧的电势差U=霍耳电压U=6.55mV.

(1)问这半导体是正电荷导电(空穴型)还是负电荷导电(电子型)？

(2)求载流子浓度，设霍耳系数仍具有式(7-8)的形式

一块半导体样品的体积为axbxe如图所示.x轴方向有电流I,沿x方向加有均匀磁场B.实验测得a=0.

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第1题

将一块半导体样品放在xy平面内，如图所示，沿x轴方向通有电流I，沿z方向加一均匀磁场B，若测得薄片两侧电势差UA

将一块半导体样品放在xy平面内，如图所示，沿x轴方向通有电流I，沿z方向加一均匀磁场B，若测得薄片两侧电势差U_A-U'_A＞0，则此样品为______型半导体。

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第2题

已知一块P型半导体薄片，水平放置。在薄片中通有电流I，外加磁场B，方向竖直向下，如图所示，则薄片两侧A、A'

面上出现的电荷极性是：A侧为______，A'侧为______。

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第3题

如图所示，公园有一块四边形的草坪，由四块三角形的小草坪组成。已知四边形草坪的面积为480平方米，其中两个小三角形草坪的面积分别为70平方米和90平方米，则四块三角形小草坪中最大的一块面积为多少平方米？

A.120

B.150

C.180

D.210

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第4题

钻井液全脱分析抽取样品体积为（)。

A.100ml

B.250ml

C.400ml

D.500ml

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第5题

有一盛水桶，桶底有一圆孔，半径为0.4m，孔被一圆锥台塞子塞住。塞子顶上水深H=5m，其他尺寸如图所示，求作用在该

塞子上的静水总压力[圆锥台的体积为

]。

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第6题

如图所示，一定量的空气，开始在状态A，其压强为2.0x10⁵Pa，体积为2.0x10^-3m³，

沿直线AB变化到状态B后，压强变为1.0x10⁵pa，体积变为3.0x10^-3m³求此过程中气体所作的功。

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第7题

一块烧结砖，其尺寸符合要求（240×l15×53mm)，当烘干至恒重时为2500g，吸水饱和后为2900g，将该砖磨细过筛，再烘干后取50g，用比重瓶测得其体积为18.5cm3试求该砖的吸水率、密度、体积密度及孔隙率。

一块烧结砖，其尺寸符合要求(240×l15×53mm)，当烘干至恒重时为2500g，吸水饱和后为2900g，将该砖磨细过筛，再烘干后取50g，用比重瓶测得其体积为18.5cm3试求该砖的吸水率、密度、体积密度及孔隙率。

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第8题

一块普通粘土砖尺寸为240mm×115mm×53mm，烘干后质量为2420g，吸水饱和后为2640g，将其烘干磨细后取5

0g，用李氏瓶测其体积为19．2cm3，求该砖的开口孔隙率及闭口孔隙率。

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第9题

一块烧结普通砖，其外形尺寸为240mm×115mm×53mm，烘干后的质量为2500g，吸水饱和后的质量为2900g，将该砖磨细过

筛，烘干后取50g，用比重瓶测得其体积为18.5cm³。试求该砖的质量吸水率、密度、表观密度及孔隙率。

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第10题

有一块烧结普通砖，在吸水饱和状态下重2900g，其烘干质量为2550g。砖的尺寸为240mm×115mm×53mm，经干燥并磨成细

粉后取50g，用排水法测得绝对密实体积为18.62cm³。试计算该砖的吸水率、密度、表观密度、孔隙率。

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第11题

一块普通粘土砖尺寸为240错误115错误53（mm)，烘干后质量为2420g，吸水饱和后为2640g，将其烘干磨细后取50g用李

一块普通粘土砖尺寸为240错误115错误53(mm)，烘干后质量为2420g，吸水饱和后为2640g，将其烘干磨细后取50g用李氏瓶测其体积为19.2cm³，求该砖的开口孔隙率及闭口孔隙率。

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