题目内容
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[单选题]
以下关于衬底为p型的理想MOS结构C－V特性的说法中，错误的是（)。
A.在较大负电压时，C为常数值Cox
B.当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容
C.当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值
D.当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
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A.在较大负电压时，C为常数值Cox
B.当VG=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容
C.当VG>0时，低频时C随着VG增加，并将趋于一个定值
D.当VG>0时，高频时C随着VG减少，并将趋于一个定值
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A.负偏压较大时，氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时，总的MOS电容近似等于Cs，与外加电压无关
C.当负偏压减小时，能带下弯程度减小，QSC随ψs的变化减慢，因而Cs减小
D.当负偏压减小时，总的MOS电容为Cox与Cs串联组成，故将随负偏压减小而减小
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体
C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体
D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体
E、n型半导体依靠导带电子导电
F、p型半导体依靠价带空穴导电
G、本征半导体中载流子由本征激发产生
H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子
J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴
K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生
L、杂质半导体中也存在本征激发的过程
A.半导体表面强反型时的栅极电压称为阈值电压
B.若金属相比半导体的功函数较小，二者功函数之差越大时，n沟增强型MOSFET的开启电压就越小
C.衬底掺杂浓度越高，沟道越容易进入强反型状态
D.氧化层厚度增加，阈值电压增加
A.如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B.理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C.最高振荡频率与器件跨导成正比
D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比
