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[单选题]

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.优先加工导电胶芯片

B.随便可以加工

C.一次上芯后可以不烘烤上二次

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第1题
造成芯片位置不良的因素有()。

A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)

B.上芯设备调试不当

C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)

D.上芯后产品传递不规

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第2题
关于上芯防混批作业的相关控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.在产品固化时,产品在进出烘箱前后,对流程卡上框号及实际产品框号要核对一致

B.作业员在加工完一批产品后,检查设备轨道内

C.设备小货架上该批产品全部留走后方可加工下批产品

D.设备加工完的产品已经移动必须在流程卡上填写盒号,每台设备不允许超过二盒产品未填写盒号

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第3题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述错误的有:()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

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第4题
关于上芯顶针痕迹监控项目,描述正确的有()。

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次

B.在监控顶针痕迹时,必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控,不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时,如果顶针痕迹不清晰,未造成明显的不良,则判定为合格

D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时,如有顶针印记,则判断为不良

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第5题
上芯机生产的产品单个空洞面积()芯片面积为不良,合计空洞面积芯片面积为不良。

A.>3%

B.>5%

C.>3%

D.>10%

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第6题
WAFERMAPPING产品在上芯过程中若出现跳行。跳列有芯片遗漏在蓝膜上时应该:()。

A.从圆片起始位置重新跳步做起

B.手工补片或移行后重做

C.关掉MAP捡拾遗漏芯片

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第7题
MAPVERIFY功能选项必须设置为()模式,当PR判断为芯片不良时,机台将停止并要求作业员选择是否上芯或跳过。

A.Skipall

B.Prompt

C.Skipink

D.pickall

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第8题
下面关于ROM的叙述中,错误的是______。

A.目前PC主板上的ROM BIOS的存储载体是ROM类芯片

B.Flash ROM芯片中的内容在一定条件下是可以改写的

C.EPROM芯片中的内容一经写入便无法更改

D.EPROM、Flash ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容不会丢失

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第9题
上芯工序首检核对项目包含()。

A.框架规格型号

B.粘片胶型号

C.流程卡备注要求

D.上芯产品外观品质

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第10题
上芯的三大原材料是什么()。

A.晶圆

B.芯片

C.粘片胶

D.引线框架

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第11题
上芯晶圆上墨点芯片的打点直径不得小于()um,不允许打()。

A.200

B.100

C.红色墨点

D.黑色墨点

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