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[主观题]

在一个共源放大电路中,已知栅极和漏极间的中频电压增益Au=-gmR'L=-27,MOS管的

Cgm=0.3 pF,Cgd=0.1pF。(1)试求该电路输入回路的总电容;(2)若要求源电压增益的上限频率fH>10MHz,试求信号源内阻Rsi的取值范围。设该电路的输入电阻很大,其影响可以忽略。

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第1题
共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro。

共源极放大电路如下图所示,已知场效应管gm=1.2mS,画出该电路交流通路和交流小信号等效电路,求Au、Ri、Ro

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第2题
场效应管共漏极放大电路如图2.5.8所示,已知工作点处的跨导gm=0.9mS,求电压增益Av、输入电阻Ri和输
出电阻Ro。

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第3题
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求
在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求

在图LT4-13(a)所示的共源组态放大电路中,已知N沟道DMOS管的(1)计算(2)画出交流等效电路.(3)求

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第4题
由N沟道增强型MOS管构成的共漏极放大电路如下图所示,试画出该电路的交流通路和交流小信号等效电路,推导电压

放大倍数Au=uo/ui、输入电阻Ri和输出电阻Ro的计算公式。

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第5题
电路如图题4.3.2所示,设R1=R2=100千欧, VDD=5V,Rd=7.5千欧, VTP= -1V,K
P=0.2 mA/V2。试计算图题4.3.2所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS

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第6题
为了获得电压放大,同时又使得输出与输入电压同相,则应选用( )。

A.共发射极电路

B.共集电极电路

C.共基极电路

D.共漏极电路

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第7题
采用分压偏置的增强型NMOS管共源放大电路,已知UDD=24V,RG1=200kΩ,RG2=56kΩ,RD=30kΩ, RS=10kΩ,静态栅源电压U

采用分压偏置的增强型NMOS管共源放大电路,已知UDD=24V,RG1=200kΩ,RG2=56kΩ,RD=30kΩ, RS=10kΩ,静态栅源电压UGS=3.25V。求静态时的ID和UDS

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第8题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A.不能形成导电沟道

B.漏极电压为零

C.能够形成导电沟道

D.漏极电流不为零

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第9题
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电
已知电路如图题4.3.3a(主教材图4.3.7a)所示,该电路的交,直流负载线绘于图题4.3.5中。试求:(1)电

源电压VDD,静态栅源电压VGS,漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ值;(2) 已知Rg1=200kQ,Rg2等于多少?(3) Rd、RL的值分别为多少?(4) 输出电压的最大不失真幅度Vom(设vi为正弦信号)。

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第10题
FET3种组态放大器中,放大能力最强的是(A.共源,B.共栅,C.共漏),输出电阻最小的是(A.共源,B.共栅,C

FET3种组态放大器中,放大能力最强的是(A.共源,B.共栅,C.共漏),输出电阻最小的是(A.共源,B.共栅,C.共漏),输出电压相比输入电压反相的是(A.共源,B.共栅,C.共漏)。

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第11题
在题图E6-31所示的源极输出器中,已知UDD=12V,Rs=12kΩ,RG1=1MΩ,RG2=500kΩ,RG=
1MΩ。试求静态值、电压放大倍数AM、输入电阻r1和输出电阻r0。设Vs≈Vc,gm=0.9mA/V。

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