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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

ADC0804是CMOS集成工艺制成的逐次比较型A/D转换器芯片,其分辨率为()。

A.4位

B.8位

C.12位

D.10位

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第1题
按集成工艺,集成电路主要有()和CMOS集成。

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第2题
硅光集成技术特征描述正确的有()。

A.易与CMOS工艺兼容,实现大规模集成

B.尺寸小,集成度高,功耗低

C.容易与光纤耦合

D.可实现不同波长光源

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第3题
EBM是根据()转换成的数控加工代码,利用由偏转线圈控制的高能电子束在真空环境中高速扫描和加热金属粉末,通过逐层熔化叠加制成金属制件的增材制造工艺。
EBM是根据()转换成的数控加工代码,利用由偏转线圈控制的高能电子束在真空环境中高速扫描和加热金属粉末,通过逐层熔化叠加制成金属制件的增材制造工艺。

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第4题
CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。()

CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。()

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第5题
数字式面板表是采用CMOS大规模集成运算电路及数字显示屏组成。()
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第6题
TTL集成门电路与CMOS集成门电路的静态功耗差不多。()

TTL集成门电路与CMOS集成门电路的静态功耗差不多。()

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第7题
CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A.二极管

B.晶体管

C.晶闸管

D.场效应晶体管

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第8题
CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A.二极管B.三极管C.晶闸管D.场效应管

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A.二极管

B.三极管

C.晶闸管

D.场效应管

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第9题
CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成

A.二极管

B.晶体管

C.晶闸管

D.场效应晶体管

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第10题
CC4000系列CMOS集成门电路的电源电压可以取()。

A.3~5V

B.3~18V

C.12~14V

D.需查手册因为不同的门电路有不同的电压

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第11题
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,V

在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。

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