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设导带底在布里渊区中心，导带底Ec附近的电子能量可以表示为E(k)=Ec+h2k2/(2m_{n}^{*})．式中，是电子的有效质量．试在二维和三维两种情况下，分别求出导带附近的状态密度．
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设导带底电子的有效质量倒数张量可以表示为如下形式
试求出导带底附近的能谱和有效质量张量的分量。
一个二维正方格子： (1)能量的极小值在第一布里渊区的中心； (2)能量的极大值在第一布里渊区的顶角上。 试在以上两种情况下，分别画出极值附近的等能线，并求出在单位面积的晶体中，能量在E～(E+dE)范围内的状态数N(E)dE。
A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中
B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的
C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中
