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[主观题]

试比较SRAM、DRAM、FlashMemory的性能特点。若某应用设计需要一种既可高速改写，又能在掉电时保存数

据的存储器，可采用哪类芯片或哪种技术？

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第1题

某机器的寻址空间为64K，数据总线为8位。现有8K×8位SRAM芯片，SRAM有CS和WE控制信号；4K×8位DRAM芯片

，DRAM有CS、wE等控制信号，数据总线是双向。CPU有MERQ、R／W等控制信号(表示低电平有效)。 (1)写出DRAM控制器内部的逻辑部件名称； (2)从0000H开始安排32K×8位SRAM，从A000H安排8K×8位DRAM，画出CPU的DRAM存储器连接电路图(包括74LS138等组成的片选电路、DRAM控制器，DRAM控制器仅要求画出输入、输出信号)； (3)设DRAM读／写周期为0．5μs，CPU在1μs内要访问内存1次或2次，平均1μs访存约1．2次，刷新周期为2ms。有哪几种刷新方式，采用哪种刷新方式比较合理，并说明采用的刷新方式的时间参数和理由。

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第2题

下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第3题

SRAM，DRAM原理一样，只是SRAM需要刷新。（）

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第4题

下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是______。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

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第5题

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ．SRAM比DRAM成本高 Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第6题

属于只读存贮器的芯片是（)。

A.SRAM

B.DRAM

C.EPROM

D.SDRAM

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第7题

组合一个32KB内存，采用( )组件来组合最适合。

A.DRAM 256K×1位

B.DRAM 64K×4位

C.SRAM 64K×4位

D.SRAM 16K×8位

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第8题

SRAM和DRAM存储器都需要电容充电刷新。（)

SRAM和DRAM存储器都需要电容充电刷新。( )

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第9题

动态可读取记忆体简称（）

A.DRAM

B.SRAM

C.EEPROM

D.SDROM

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第10题

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是

A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据无须刷新

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