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[主观题]

关于SRAM和DRAM,下列叙述中正确的是()。A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷

关于SRAM和DRAM,下列叙述中正确的是()。

A.通常SRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容上有电荷为1,无电荷为0

B.DRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1

C.SRAM速度较慢,但集成度稍高;DRAM速度稍快,但集成度低

D.SRAM速度较快,但集成度稍低;DRAM速度稍慢,但集成度高

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第1题
下列关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是()

A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据无须“刷新”

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第2题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是

A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据无须刷新

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第3题
下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是______。

A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.CPU中的cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

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第4题
下面关于随机存取存储器中静态RAM和动态RAM的叙述中,正确的是()。

A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新

B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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第5题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是()

A.存储在SRAM或DRAM中的数据在断电后将全部丢失且无法恢复

B.SRAM的集成度比DRAM高

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.RAM常用来做Cache用

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第6题
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高 Ⅱ.SRAM比DRAM成本高 Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新 其中正确的叙述是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第7题
下列关于SRAM和DRAM的论述中,错误的是()。A.SRAM通常用于实现CaChe,DRAM用于实现主存B.由

下列关于SRAM和DRAM的论述中,错误的是()。

A.SRAM通常用于实现CaChe,DRAM用于实现主存

B.由于容量大,DRAM采用行列地址复用技术,地址引脚数量仅为地址宽度的一半

C.控制线RAS和CAS是DRAM特有的,分别控制从地址线上读行地址和列地址

D.SRAM和DRAM芯片都有片选信号线CS

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第8题
下列叙述中,正确的是()

A.字长为16位表示这台计算机的CPU一次能处理16位二进制数

B.字长为16位表示这台计算机最大能计算一个16位的十进制数

C.运算器只能进行算术运算

D.SRAM的集成度高于DRAM

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第9题
下面是有关DRAM和sRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM存储单元的结构比sRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是______。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ

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第10题
下列关于存储器的论述中,正确的是()。A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高B.常用

下列关于存储器的论述中,正确的是()。

A.与SRAM相比,DRAM由于需要刷新,所以功耗较高

B.常用的EPR,OM采用浮栅雪崩注入型MOS管构成,出厂时存储内容为全“0”

C.SRAM依靠基于MOS管的双稳态电路来存储信息,所以不需要刷新

D.双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高

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