在CMOS门电路中,有时采用图3.5.5所示的方法扩展输入端。试分析图中(a),(b)所示电路的逻辑功能,写出Y的逻辑表达式。假定VDD=10 V,二极管的正向导通压降VD=0.7 V。
试分析图3.5.7(a),(b)所示电路的逻辑功能,写出y的逻辑表达式。图中的门电路均为CMOS门电路。
在CMOS电路中采用图(a)~(d)所示的扩展功能用法,试分析各图的逻辑功能,写出Y1~Y4的逻辑表达式。已知电源电压VDD=10V,二极管的正向导通压降为0.7V。
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
图2.3.5所示电路中,(a)图中的G1、G2均为CMOS门电路;(b)图中G1、G2和G3均为TTL门电路,G4为CMOS门电路。试写出Y1和Y2的逻辑表达式。