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[主观题]

NMOS构成的开关电路如图2.3.4所示,其参数为Kn=4 mS,VT=0.8 V。该电路用于使发光二极管导通或截止。

二极管的正向压降为VF=1.5 V。如果输入vI=5 V时二极管导通电流为12 mA,试确定此时Rd及vDS的数值。

NMOS构成的开关电路如图2.3.4所示,其参数为Kn=4 mS,VT=0.8 V。该电路用于使发光

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第1题
开关电路如图(a)所示,K1、K2是两个继电器,当通过继电器电流大于2mA时,继电器才导通,问这两个继电器是否导通?

开关电路如图(a)所示,K1、K2是两个继电器,当通过继电器电流大于2mA时,继电器才导通,问这两个继电器是否导通?

开关电路如图(a)所示,K1、K2是两个继电器,当通过继电器电流大于2mA时,继电器才导通,问这两个

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第2题
BJT管开关电路和电路的输入波形如图2.3.5所示。已知β=50,VBE=0.7 V,VCES=0.2 V。试画出输入脉冲v1
作用下v0的波形。

BJT管开关电路和电路的输入波形如图2.3.5所示。已知β=50,VBE=0.7 V,VCES=0.

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第3题
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足

电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。

电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号

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第4题
一个NMOS—ROM存储矩阵如图6.4.2所示。图中存储阵列的“×”表示字线和位线间接有NMOS管,接法见左上方
的虚线框。

一个NMOS—ROM存储矩阵如图6.4.2所示。图中存储阵列的“×”表示字线和位线间接有NMOS管,(1)若地址译码器的输入A2A1A0取值为000、001、010、…、111时,其相应的输出Y0、Y1、Y2、…、Y7为高电平。试问输入A2A1A为010、011、101时,ROM相应的输出状态是什么? (2)若已知ROM的输出为10110011,试问地址译码器的输入A2A1A0应该是什么状态?

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第5题
电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2
电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA/V2,λn=0。PMOS管的参数为:VTP= -1V,KP=25μA/V,λP=0,设全部管子均运行于饱和区,试求R、I3和I4的值。各管的W/L值见图示。

电路如图题7.1.1所示,IREF=I1=1mA, NMOS管的参数为:VTN=1V,Kn=50μA

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第6题
如图是用555定时器构成的触摸开关电路,当用手摸一下金属片,人体接收的感应信号加至2端,使3端输出高电平,小
灯泡就会发亮一段时间,然后自动熄灭,它可以在晚问作为临时性小照明。如果R=390kΩ,触摸后小灯泡发亮的时间为20s,求C值。

如图是用555定时器构成的触摸开关电路,当用手摸一下金属片,人体接收的感应信号加至2端,使3端输出高

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第7题
串级电流源电路如图题7.1.3所示,NMOS管都工作在饱和放大区,其VTN=0.6V,K'n=μnc01=
160μA/V2,λn=1/10V'L=1μm,W1=W3=4μm,W2=W4=40μm,电路中IREF=20μA,(1)求输出电流I0、T2和T4的VGS2、VGS4,保证电路工作的最小输出电压Vomin的值;(2)求gm2,gm和r02、r04的值,以及电路输出电阻R0的值。

串级电流源电路如图题7.1.3所示,NMOS管都工作在饱和放大区,其VTN=0.6V,K'n=μnc

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第8题
图3—22所示为用TTL与非门构成的开关电路,为使开关SA及SB打开时,门的输入端A及B分别有确定的起始
电平1及0,故A端通过电阻RA接UCC,B端则通过电阻RB接地。试决定电阻RA和RB值,门输入特性的有关参数已注在该图中。

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第9题
用74HC161构成的电路如图6-44所示,试分析其逻辑功能。

用74HC161构成的电路如图6-44所示,试分析其逻辑功能。

用74HC161构成的电路如图6-44所示,试分析其逻辑功能。用74HC161构成的电路如图6-44

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第10题
理想运放构成的电路如图2所示,其中:Vi1=2mv, Vi2=3mv ,R1=20KΩ, R2=40KΩ, Rf=80KΩ,R3=11KΩ.求VO=?,

理想运放构成的电路如图2所示,其中:Vi1=2mv, Vi2=3mv ,R1=20KΩ, R2=40KΩ, Rf=80KΩ,R3=11KΩ.求VO=?,

理想运放构成的电路如图2所示,其中:Vi1=2mv, Vi2=3mv  ,R1=20KΩ, R2=4

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