已知一维晶体的电子能带可写成式中,α为晶格常数。试求: (1)能带的宽度; (2)电子的波矢k状态时
已知一维晶体的电子能带可写成式中,α为晶格常数。试求:
(1)能带的宽度; (2)电子的波矢k状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
已知一维晶体的电子能带可写成式中,α为晶格常数。试求:
(1)能带的宽度; (2)电子的波矢k状态时的速度; (3)能带底部和顶部电子的有效质量。
试证明,如只考虑最近邻的相互作用,用紧束缚方法导出简单的立方晶体中的s态电子的能带为 E(k)=E0-A-2J(cos2παkx+cos2παky+cos2παkz) 试求:(1)能带的宽度(△E=12J); (2)能带底和能带顶附近电子有效质量。
已知[Co(NH 3 ) 6 ] 2+ 的磁矩为 4.26B.M.,则中心离子的 d 电子排布式和晶体场稳定化能分别为()。
A.可以分析过渡离子的部分电子态能级随晶场强度的改变
B.可以分析过渡离子的电子态能级在部分点群对称晶体场中的改变
C.可以分析所有过渡离子的电子态能级在Oh对称晶体场中随晶场强度的改变
D.可以分析部分过渡离子的电子态能级随晶场强度的改变
X、Y、Z、R为前四周期原子序数依次增大的元素。X原子有3个能级,且每个能级上的电子数相等;Z原子的不成对电子数在同周期中最多,且Z的气态氢化物在同主族元素的氢化物中沸点最低;X、Y、R三元素在周期表中同族。
(1)R元素基态原子的价层电子排布式为()。
(2)下图表示X、Y、Z的四级电离能变化趋势,其中表示Y的曲线是()(填标号)。
(3)化合物(XH2=X=O)分子中X原子杂化轨道类型分别是(),1mol(X2H5O)3Z=O分子中含有的σ键与π键的数目比为()。
(4)Z与氯气反应可生成一种各原子均满足8电子稳定结构的化合物,其分子的空间构型为()。
(5)某R的氧化物立方晶胞结构如图所示,该物质的化学式为()。(用元素符号表示),已知该晶体密度为ρg/cm3,距离最近的原子间距离为dpm,则R的相对原子质量为()。(阿伏加德罗常数为NA)
试证:平行板电容器的位移电流可写成式中C为电容器的电容,U是电容器两极板的电势差。如果不是平板电容器,以上关系还适用吗?
A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
利用玻尔-索末菲的量子化条件,求: (1)一维谐振子的能量; (2)在均匀磁场中做圆周运动的电子轨道的可能半径。 已知外磁场H=10T(特斯拉),玻尔磁子MB=9×10-24J/T,试计算动能的量子化间隔△E,并与T=4 K及T=100 K的热运动能量相比较。