题目内容
（请给出正确答案）
将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1).山东元素半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
2).化合物半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
3).无定形半导体材料
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
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将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1).元素半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
2).化合物半导体
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
3).无定形半导体材料
A、砷化镓
B、氧化物玻璃
C、硅
将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1).禁带宽度
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2).电阻率、载流子迁移率
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3).非平衡载流子寿命
A、反映材料的导电能力
B、反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C、反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因一一对应。
1).反射遮荫等光学损失
A、P/N结区复合
B、封装材料透光率
C、逆变器等电器损耗
2).载流子复合损失
A、P/N结区复合
B、封装材料透光率
C、逆变器等电器损耗
3).连接转换等电学损失
A、P/N结区复合
B、封装材料透光率
C、逆变器等电器损耗
A.压电材料的绝缘电阻能改善压电传感器的低频特性
B.新型压电材料包括压电半导体和有机高分子压电材料
C.因受力而产生的机械效应转变为电效应，将机械能转变为电脑，就是压电陶瓷的逆压电效应
D.与电轴垂直的平面上产生的电荷量与晶体片的几何尺寸成正比
将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1).单晶硅太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
2).多晶硅太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
3).非晶硅单结太阳电池
A、12%
B、20.4%
C、25%
将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素一一对应。
1).反射遮荫等光学损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
2).载流子复合损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
3).连接转换等电学损失
A、温度及衰减损失
B、逆变器等电器损耗
C、封装材料透光率
将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1).多晶硅
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
2).非晶硅单结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
3).非晶硅多结
A、11.83%
B、12%
C、20.4%
将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。
1).单晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
2).多晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
3).非晶硅
A、7～9%
B、15～17%
C、16～18%
