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[主观题]

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β=50,两种类型晶

体三极管的|VA|均为100V,|VBE(on)|=0.7V,并设T23的输入电阻为9.1MΩ,IC17=550μA,|VCC|=|VEE|=15V,试求T16、T17组成的中间增益级的输入电阻R1和电压增益Av

(2)利用上题提供的管子参数,试求F007集成运放内部电路中输入差分级电路的输入电阻Rid和互导增益Ag。设各管rce忽略不计。已知差分放大器的偏置电流为20μA。

(1)在图LP4-58所示的F007集成运放内部电路中,若设各NPN型管的β=250,PNP型管的β

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第1题
在图10.5所示反相比例运算电路中,己知集成运算放大器的UCC=15V,UEE=15V,R1=10kΩ,RF=100kΩ。试求uI分别为以下

在图10.5所示反相比例运算电路中,己知集成运算放大器的UCC=15V,UEE=15V,R1=10kΩ,RF=100kΩ。试求uI分别为以下各值时的输出电压UO:(1)uI=-10mV;(2)ul=sinωtV;(3)uI=3V;(4)uI=-5V。

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第2题
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成
在图LP6-25(a)所示集成运放电路中,已知IQ=100μA,Cϕ=2pF,试求BWG、SR,将它接成

图LP6-25(b)所示的同相跟随器.试求:

(1)当输入幅度为VS的阶跃电压激勋时,不受转移率限制的最大VS值.

(2)当输入幅度为2V的正弦波激励时,不受转移率限制的最高信号频率.

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第3题
图10.22所示电路中,集成运放的UCC=UEE=9V,求R2以及下述两种情况下的uO1和uO2:(1)uI1=0.1V,uI2=-0.2V;(2)uI1

图10.22所示电路中,集成运放的UCC=UEE=9V,求R2以及下述两种情况下的uO1和uO2:(1)uI1=0.1V,uI2=-0.2V;(2)uI1=-0.1V,uI2=0.2V。

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第4题
TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。

TTL集成施密特触发器CTll32的逻辑符号和vI一vO曲线如图9.6.1(a)所示,图(b)为CTll32组成的电路。 (1)说明电路具有什么功能。 (2)定性画出VA,VO的波形。 (3)若R=10 kΩ,C=0.01μF,计算工作周期。

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第5题
某系统ASM图如图5-32所示,试设计该图描述的控制器(条件输出块和状态块所标符号为输出信号)。

某系统ASM图如图5-32所示,试设计该图描述的控制器(条件输出块和状态块所标符号为输出信号)。 (1)以触发器为核心; (2)以集成计数器为核心; (3)以集成多D触发器为核心,并采用“一对一”的设计方法。

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第6题
在题7-5图所示各电路中,集成运放的共模信号分别为多少?要求写出表达式。

在题7-5图所示各电路中,集成运放的共模信号分别为多少?要求写出表达式。

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第7题
在图LT6-14所示电路中,集成运放满足理想化条件.若R2/RL=R4/R3,试证流过负载R≇

在图LT6-14所示电路中,集成运放满足理想化条件.若R2/RL=R4/R3,试证流过负载RL的电流iL与RL值的大小无关.

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第8题
在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,V

在图10.3.12所示的施密特触发器构成的多谐振荡器中,已知CMOS集成施密特触发器的VDD=15V,VT+=9V,VT-=4V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求该电路的振荡周期。

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第9题
在图LT6-11所示对数、反对数乘法器中,设各集成运放是理想的,各晶体管特性相同,试证明:

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第10题
在图6-19所示的电路中,集成运放满足理想化条件。若R2/R1=R4/R3,试证流过负载电阻RL的电流iL与RL值的大小无关

在图6-19所示的电路中,集成运放满足理想化条件。若R2/R1=R4/R3,试证流过负载电阻RL的电流iL与RL值的大小无关。

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第11题
在图10.23(a)所示的滞回比较器中,已知集成运算放大器的输出饱和电压UOM=9V,uI=8sinωtV,UR=3V,R2=1kΩ,RF=5kΩ

在图10.23(a)所示的滞回比较器中,已知集成运算放大器的输出饱和电压UOM=9V,uI=8sinωtV,UR=3V,R2=1kΩ,RF=5kΩ。求该电路的上限和下限触发电压、滞回宽度以及uO的波形。

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