图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明
图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。
图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为
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图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。
图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为
。
图题9.19所示为场效应管平衡混频器电路。图中,us(t)=Usmcos(ωst),uL(t)=ULmcos(ωLt)。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和输入信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表达式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为
在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。。
图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为
式中,ID为漏极电流;IDSS是栅压为零时的漏极电流;VP为夹断电压;VGS为栅源 电压。 设直流偏置电压为VGS0;信号电压为vs=Vssinωst;本振电压v0=V0sinω0t。 试证明: 1)此混频器能完成混频作用;
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
d
=10千欧,RL=1千欧,Rs1=1千欧。场效应管参数为VTS=1V,Km=1mA/V2,λ=0。试求(1)输入电阻Ri和输出电阻R0;(2)电流增益Ais=i0/is。
场效应管输出特性曲线如图LT3-1所示,试判断场效应管的类型,画出相应器件符号,确定VGS(th),并在图上画出饱和区与非饱和区的分界线。
图LT4-19所示差分放大器中,已知场效应管的若电容CD对交流呈短路υ1=10mΥ,试求值.
图1所示的图形符号表示的电力电子器件是()。
:A、普通晶闸管
B、电力场效应管
C、门极可关断晶闸管
D、绝缘栅双极晶体管