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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是()。

A.MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区

B.MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路

C.过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高

D.栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高

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第1题
图NP5-6所示是变容管直接调频电路,其中心频率为360MHz,变容管的n=3,VB=0.6V,uΩ=cosΩ
t(V)。图中L1和L3为高频扼流圈,C3为隔直流电容,C4和C5为高频旁路电容。

(1)分析电路工作原理和各元件的作用。

(2)调整R2,使加到变容管上的反向偏置电压VQ为6V时,它所呈现的电容CjQ=20pF,试求振荡回路的电感量L2

(3)试求最大频偏Δfm和调制灵敏度SF=Δf/VΩm

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第2题
下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是()。

A.如果考虑寄生电容,相比理想情况,最高振荡频率会降低

B.理论计算MOS管最高振荡频率时,需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响

C.最高振荡频率与器件跨导成正比

D.最高振荡频率与器件沟道长度成正比

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第3题
一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振

一变容管直接调频电路,如图NP5-9所示,已知,变容管结电容,调频指数Mf=5rad,VΩ=0时的振荡频率fc=5MHz。

(1)画出该调频振荡器的高频通路,变容管的直流通路和音频通路;

(2)试求变容管所需直流偏置电压VQ;

(3)试求最大频偏Δfm和调制信号电压振幅VΩm

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第4题
试画出图NP3-6所示各振荡器的交流通路,并判断哪些电路可能产生振荡,哪些电路不能产生振荡。图中,C

试画出图NP3-6所示各振荡器的交流通路,并判断哪些电路可能产生振荡,哪些电路不能产生振荡。图中,CB、CC、CE、CD为交流旁路电容或隔直流电容,LC为高频扼流圈,偏置电阻RB1、RB2、RG不计。

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第5题
在图9.3.2中,已知其中的施密特触发器为CMOS电路CC40106,VDD=10 V,R=10 kΩ,C=0.01μF,试求电路的振
荡周期。

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第6题
图NP3-11所示为场效应管电感三点式振荡电路,若管子的极间电容和RG不计,试计算振荡频率,并导出
振幅起振条件。图中CG、CD、CS为交流旁路电容和隔直流电容。

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第7题
在图P9.15的多谐振荡电路中,已知集成施密特触发电路74HC14在VDD为4.5V时的正向阈值电压和负
向阈值电压分别为VT1=2.5V,VT=1.6V。若C=2200pF,R=51kΩ,试求输出脉冲的重复频率。

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第8题
对恒流源而言,下列说法不正确的为()

A.可以用作偏置电路

B. 可以用作有源负载

C. 交流电阻很大

D. 直流电阻很大

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第9题
由CMOS门构成的电路及输入信号如图7.4.1所示,如果VOH≈VDD=5 V,VOL≈0 V,门电路的阈值电压VTH=2.5
V,忽略CMOS门导通电阻。

(1)试分析电路的工作原理,该电路是什么电路? (2)画出vR及vO的波形,计算输出脉冲宽度及最高工作频率。

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第10题
双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是()。

A.截止频率

B.特征频率

C.最高振荡频率

D.以上都不对

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第11题
共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率,和特征频率无关。()
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