放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re⌘
放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re=3.3千欧,Re=1.3千欧,Rb1=33千欧,Rb2=10千欧,RL=5.1千欧,Cb1=Cb2=10μF,Ce=50μF,VCC=12V。试求:集电结电容Cb在1~10pF之间变化时,上限频率fH的变化范围。
放大电路如图题6.9.1所示。设信号源内阻Rs1=0,BJT的型号为2N3904,β=100,电路其他参数:Re=3.3千欧,Re=1.3千欧,Rb1=33千欧,Rb2=10千欧,RL=5.1千欧,Cb1=Cb2=10μF,Ce=50μF,VCC=12V。试求:集电结电容Cb在1~10pF之间变化时,上限频率fH的变化范围。
电路如图题5.2.6所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID=0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0.01V-1。场效
应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae。
放大电路如图题4.3.5(a)所示,已知VCC=12V,BJT的β=20。若要求Av≥100,ICQ=1mA,试确定Rb、Rc的值,并计算VCEQ。设RL=∞。
算下列条件下的源电压增益Aro=v0/vn:
)设R1=R2从B、A两端看进去的输入电阻Rid=20千欧,Ae=10,求在vi2-vi1作用下电阻值R1、R2,R3和R4;(2)vi2=0时,求从vi1输入信号端看进去的输入电阻Ri1值;(3)vi1=0时,求从vi2输入端看进去的输入电阻Ri2值。
绘出vo(t)的波形。使用恒压降模型(VD=0.7 V),设二极管是理想的。
NPN三极管组成的共射电路如图1-5所示。设UBE=0.7V,饱和压降为UCES。
试判定三极管处于何种工作状态(放大、饱和、截止)。
电路如图题7.2.3(主教材图7.2.2)所示的源极耦合差分式放大电路中,电流源输出电阻(图中未画出),求单端输出时的。
共射极放大电路如图3-12所示,设三极管的β=100,rbe=6kΩ,rbb'=100Ω,fT=100MHz,Cμ=4pF。
(1) 估算中频电压放大倍数Ausm
(2) 估算下限频率fL
(3) 估算上限频率fH。