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[主观题]
N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。结型场效应管的输出特性也有三个工作区域：______、______和______。
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试分别画出N沟道和P沟道JFET的输出特性和转移特性示意图，并在特性曲线中标出iD、uDS、UGS、IDSS和Up等参数，说明UDS、UGS和Up在两种沟道JFET中极性。
一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：
(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？
(2) 它的夹断电压Vp和饱和漏极电流IDSS各是多少？
在图4-11所示电路中，已知图4-11(a)电路中N沟道JFET的VGS(off)=-2V，IDSS=5mA，图4-11(b)电路中N沟道DMOS管的VGS(th)=-2V，μnCoxW/(2l)=0.6mA/V2，试计算VGSQ、IDQ、VDSQ。
说明场效应晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出：(1)N沟道绝缘栅增强型；(2)N沟道绝缘栅耗尽型；(3)P沟道绝缘栅增强型；(4)P沟道绝缘栅耗尽型四种场效应晶体管的转移特性曲线，并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们的正负。耗尽型和增强型区别在哪里？
各种类型场效应管的输出特性曲线如图LT3-2(a)、(b)、(c)所示，试分别指出各FET管的类型、符号、VGS(th)或VGS(off)，并画出|VDS|=5 V时相应的转移特性曲线。
