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第5题
关于缓变沟道近似（GCA），下列说法中正确的是（）。
A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维
第6题
与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有许多显著的特点，GaAs材料是直接跃迁型半导体对可见光的__
______________ 高，使绝大部分的可见光在材料表面2μm以内就被吸收，电池可采用薄层结构，相对节约材料是其中之一。
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第7题
当蛋白质处于等电点时，可使蛋白质分子的（)A．稳定性增加B．表面净电荷不变C．表面净电荷增加D．
当蛋白质处于等电点时，可使蛋白质分子的()
A．稳定性增加
B．表面净电荷不变
C．表面净电荷增加
D．溶解度最小
第9题
对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？（)
A.金属和半导体之间存在功函数差
B.绝缘层中存在电荷
C.半导体与绝缘层的界面处存在表面态
D.外加偏压
第11题
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少B
和动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的性能是________。
A．集成度高，存取周期快，位平均功耗少
B．集成度高，存取周期快，位平均功耗大
C．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
